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Química Industrial online

Unesp e MIT firmam parceria sobre semicondutores

Publicado em 09 janeiro 2013

Durante o Fronteras de la Ciencia: Brasil y España en los 50 años de la Fapesp, evento que reuniu, em dezembro, na Espanha pesquisadores do Estado de São Paulo e de algumas das principais instituições espanholas de ensino e pesquisa, foi apresentado estudo sobre o uso de óxido de estanho e óxido de cobre, materiais semicondutores de alta sensibilidade e grande seletividade, bem como de sua aplicação no desenvolvimento de dispositivos para a medição de gases poluentes.

O estudo é resultado de parceria entre o Instituto de Química (IQ) da Unesp, Campus de Araraquara, e o Departamento de Ciências de Materiais e Engenharia do Instituto de Tecnologia de Massachusetts (MIT).

O objetivo é desenvolver materiais nanométricos para a fabricação de sensores voltados ao monitoramento ambiental e industrial. A pesquisa faz parte do projeto Avanços em óxidos semicondutores nanoestruturados para sensores de gás, conduzido no Centro Multidisciplinar para o Desenvolvimento de Materiais Cerâmicos - um Centro de Pesquisa, Inovação e Difusão (CEPID) da Fapesp.

O estudo é coordenado pelo professor José Arana Varela, diretor-presidente do Conselho Técnico-Administrativo da Fapesp e professor do IQ.

Na Unesp, os pesquisadores envolvidos, sob coordenação de Varela, têm que sintetizar esses materiais e preparar amostras, cujas análises são feitas por pesquisadores do Departamento de Ciências de Materiais e Engenharia do MIT, sob coordenação do professor Harry Tuller.

De acordo com a pesquisa, materiais desenvolvidos a partir de nanocompósitos apresentaram alterações em sua estrutura e suas superfícies se tornaram mais sensíveis e seletivas, fator importante no caso da detecção de gases presentes na atmosfera.

O material deverá ser objeto de patente internacional, com créditos divididos entre a Unesp e o MIT.