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Diário da Franca

Transistor 3D que promete revolucionar a eletrônica é fabricado no Brasil

Publicado em 18 dezembro 2012

O surgimento de um novo tipo de transistor, conhecido como FinFET ou transistor 3D, poderá revolucionar a eletrônica e abrir caminho para uma nova geração de computadores, smartphones, tablets, televisores e outro equipamentos com maior capacidade de processamento e de memória, porém menores e mais leves. Um grupo de pesquisadores coordenado por João Antônio Martino, da Escola Politécnica da Universidade de São Paulo (USP), conseguiu, pela primeira vez no Brasil, desenhar e fabricar um protótipo do gênero.

O anúncio foi feito nesta quarta-feira (12/12), durante o evento “Fronteras de la Ciencia – Brasil y España en los 50 años de la FAPESP.

O simpósio integra as comemorações dos 50 anos da FAPESP e reúne, nas cidades de Salamanca (10 a 12/12) e Madri (13 e 14/12), pesquisadores do Estado de São Paulo e de diferentes instituições de ensino e pesquisa do país ibérico, em uma programação intensa, diversificada e aberta ao público.

“Todos os equipamentos eletrônicos possuem um circuito formado por transistores interligados para um determinado fim. Quanto melhor o transistor, melhor o circuito, ou seja, maior é sua capacidade de processamento e de memória”, disse Martino à Agência FAPESP.

Formado basicamente por silício – que atua como base semicondutora–, metal e isolantes, esse componente eletrônico serve para amplificar ou interromper sinais elétricos.

Os modelos tradicionais são montados e interligados de forma horizontal, deixando portas para a passagem da corrente elétrica apenas na face superior. Já os do tipo FinFETs, além de consideravelmente menores, são dispostos na vertical.

“Além de permitir colocar mais transistores na mesma área de silício, a disposição vertical possibilita colocar portas para a passagem de corrente elétrica nas duas laterais e na parte de cima. Isso mais do que dobra a capacidade de processamento”, disse Martino.

Grupos de pesquisa de diversos países têm se dedicado na última década a desenvolver a tecnologia para a fabricação desses componentes. Em 2012, a Intel lançou a linha de processadores lvy Bridge, primeiro produto comercial que conta com transistores 3D.

“Agora, o Brasil também domina essa tecnologia. No mês de novembro, conseguimos fabricar os primeiros FinFETs totalmente desenvolvidos no pais”, disse Martino.

A pesquisa contou com apoio da FAPESP e parceria de cientistas da Universidade Estadual de Campinas (Unicamp) e do Centro Universitário da FEl.