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People's Daily (China)

Investigadores brasileños desarrollan prototipo de transistor 3D

Publicado em 14 dezembro 2012

Un equipo de investigadores brasileños diseñó y fabricó un prototipo del que ya es considerado como primer transistor 3D de Brasil, informó hoy la Fundación de Apoyo a la Investigación en el Estado de Sao Paulo (Fapesp), entidad que financió el proyecto.

Esta tecnología bautizada como FinFET y en la que trabajan varios países, puede revolucionar la electrónica y abrir camino para una nueva generación de computadores, teléfonos inteligentes, tabletas electrónicas, televisores y otros equipos que requieren gran capacidad de memoria y poco peso, según indicó la Fapesp en un comunicado.

El prototipo fue desarrollado y producido por científicos de la Escuela Politécnica (Poli) de la Universidad de Sao Paulo (USP) coordinado por Joao Antonio Martino.

"Todos los equipos electrónicos cuentan con un circuito formado por transistores interconectados para un determinado fin. En cuanto mejor el transistor, mejor el circuito y mejor su capacidad de procesamiento y de memoria", explicó Martino, citado en el boletín.

El equipo, construido con silicio (su base semiconductora), metal y aislantes, sirve básicamente para amplificar o interrumpir señales eléctricas.

Mientras que los modelos convencionales cuentan con conjuntos de transistores montados de forma horizontal, con lo que tan sólo dejan puertas para el paso de la corriente eléctrica en su lado superior, los modelos del tipo FinFET, además de ser menores, son montados de forma vertical.

"Además de permitir colocar más transistores en la misma área de silicio, la disposición vertical permite colocar puertas para el paso de la corriente eléctrica en la parte superior y en dos laterales. Eso le permite doblar su capacidad de procesamiento", según el investigador brasileño.

El equipo coordinado por Martino es uno de los varios en todo el mundo que vienen trabajando en el desarrollo de transistores en 3D.

El primer modelo de transistores 3D, el Ivy Bridge, fue lanzado por Intel este año.

"Ahora Brasil domina la tecnología. En noviembre conseguimos fabricar el primer prototipo totalmente desarrollado en el país", festeja el investigador de la USP, que trabajó asociado a científicos de la Universidad de Campinas (Unicamp) y del Centro Universitario de la FEI.

El proyecto tuvo inicio en 2009 pero desde antes los mismos investigadores venían estudiando el funcionamiento de los transistores 3D fabricados en el exterior para poder entender su comportamiento eléctrico y su operación en condiciones especiales, como altas o bajas temperaturas y radiación.

Los responsables por el proyecto financiado por la Fapesp pretenden ahora perfeccionar su prototipo, que tiene 50 nanómetros de ancho, 100 nanómetros de altura y 1.000 nanómetros de largo.

"Aún es una versión simple con tres capas. Los circuitos de la Intel tienen entre 15 y 20 capas. Pero a partir de este prototipo podemos avanzar hacia la altura que sea necesaria", según Martino.

"Por ahora se trata de un transistor 3D con perfil académico. Fuimos hasta donde era posible en el nivel de investigación. Ahora necesitamos una asociación con la industria para desarrollar un modelo con uso comercial", agregó el investigador.